型號: | SMBJ75C |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 111K |
代理商: | SMBJ75C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ75 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ78 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.0A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ90A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ75C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75C/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75C/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75C/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |