參數(shù)資料
型號： SMBJP6KE68CAE3TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： SMBJP6KE68CAE3TR
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3
SMBJ(G)P6
K
E6.8-200
Ae
3
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 – SMBJ(G)P6KE series Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
SMBJ
SMBG
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-21-2007 Rev C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJP6KE82AE3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBGP6KE12TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE15CATR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE18C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE200A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
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參數(shù)描述
SMBJP6KE68CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 92V 600W 6.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE7.5A-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 11.3V 600W 54A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE7.5CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 11.3V 600W 54A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE75A-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 103V 600W 5.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE75CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 103V 600W 5.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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