參數(shù)資料
型號: SMMBD2837LT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 45K
代理商: SMMBD2837LT1
MMBD2837LT1, MMBD2838LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (EACH DIODE) (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 mAdc)
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
V(BR)
35
75
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3.)
(VR = 30 Vdc)
MMBD2837LT1
(VR = 50 Vdc)
MMBD2838LT1
IR
0.1
mAdc
Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
4.0
pF
Forward Voltage (IF = 10 mAdc)
Forward Voltage (IF = 50 mAdc)
Forward Voltage (IF = 100 mAdc)
VF
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
4.0
ns
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
Notes: 1. A 2.0 k
W variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2.0 k
820 W
0.1 mF
DUT
VR
100 mH
0.1 mF
50 W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; MEASURED
at iR(REC) = 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
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參數(shù)描述
SMMBD2837LT1G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
SMMBD301LT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SMMBD330T1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOT-323 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SMMBD7000LT1G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
SMMBD7000LT3G 功能描述:DIODE SWITCH DUAL 100V SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2