參數(shù)資料
型號(hào)： SP1N6358E3
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
封裝： ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： SP1N6358E3
1500 W LOW CLAMPING FACTOR
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6356 thru 1N6372, e3
or MPT-5 thru MPT-45C, e3
1N6
356
thru
1N6
372,
e3
MPT-5
th
ru
MPT-45
C,
e3
Pulse time duration (tp) is
defined as that point where
IP decays to 50% of peak
value (IPP).
Peak Value
IPP
Pulse
current
(I
P)
in
percent
of
I
PP
time (t) in milliseconds
FIGURE 4
FIGURE 3
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
Pulse wave form for exponential surge
(Unidirectional Types)
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 5
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
(Bidirectional Types)
FIG. 5
Steady-state power derating curve
Stead
y-
sta
te
po
w
er
dissi
pat
io
n
(wa
tts
)
TL – lead Temperature
oC
Copyright
2007
10-03-2007 REV C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SP1N6360E3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
SP1N6367 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
SPMPT-22CE3TR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
SPMPT-8E3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
SPMPT-10C 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA
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SP1R10JT 功能描述:電流傳感電阻器 - SMD SP1 R10 5% TAPED RoHS:否 制造商:Vishay/Dale 電阻:10 mOhms 功率額定值:1 W 容差:1 % 外殼代碼 - in:2512 外殼代碼 - mm:6432 溫度系數(shù):75 PPM / C 系列:WSL 工作溫度范圍:- 65 C to + 170 C 產(chǎn)品:Power Metal Strip Resistors Low Value
SP1R12J 功能描述:電流傳感電阻器 - SMD SP1 R12 5% LOOSE RoHS:否 制造商:Vishay/Dale 電阻:10 mOhms 功率額定值:1 W 容差:1 % 外殼代碼 - in:2512 外殼代碼 - mm:6432 溫度系數(shù):75 PPM / C 系列:WSL 工作溫度范圍:- 65 C to + 170 C 產(chǎn)品:Power Metal Strip Resistors Low Value
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