參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N08S2-23
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： SPD30N08S2-23
2000-01-13
Page 1
SPD30N08S2-23
Target data sheet
SIPMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
V
DS
R
DS(on)
I
D
75
V
Drain-source on-state resistance
23
m
A
Continuous drain current
25
Type
SPD30N08S2-23
Package
D-PACK
Ordering Code
-
Marking
-
Pin 1
G
PIN 2
D
PIN 3
S
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
F)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 25 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 25 A,
V
DS
= 60 , d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
I
D
25
25
A
I
D puls
120
E
AS
240
mJ
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
V
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
130
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPE0522 2-Line ESD Protection Array
SPE0522S52RG 2-Line ESD Protection Array
SPE0526 5-Line ESD Protection Array
SPE0526S36RG 5-Line ESD Protection Array
SPE0534 4-Line ESD Protection Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD30N08S2L-21 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30P06P 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P G 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
SPD30P06PG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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