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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPN03N60S5 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號(hào)晶體管（酷馬鞍山小信號(hào)晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | SPN03N60S5 |
1999-10-11
5
SPN03N60S5
Preliminary data
Power Dissipation
P
tot
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
1.9
SPN03N60S5
P
t
Drain current
I
D
= f (T
A
)
parameter: V
GS
≥
10 V
SPN03N60S5
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
A
0.75
I
D
Safe operating area
I
D
=f (V
DS
)
parameter: D=0.01, T
A
=25°C
SPN03N60S5
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 78.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJS
= f(t
P
)
Parameter: D=t
P
/T
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
3
s
tp
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
single pulse
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PDF描述 |
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