參數(shù)資料
型號： SPP80N03S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： SPP80N03S2L-05
2000-05-12
Page 1
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
OptiMOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
5.4
80
V
m
W
A
Feature
·
N-Channel
·
Enhancement mode
·
Logic Level
·
Low on-resistance R
DS(on)
·
Excellent Gate Charge x R
DS(on)
product (FOM)
·
Superior thermal resistance
·
175°C operating temperature
·
Avalanche rated
·
d
v
/d
t
rated
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
Type
SPP80N03S2L-05 P-TO220-3-1 Q67042-S4033
SPB80N03S2L-05 P-TO263-3-2 Q67042-S4032
Package
Ordering Code
Marking
2N03L05
2N03L05
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol
Value
80
80
Unit
A
T
C
= 25 °C
1)
T
C
=100°C
Pulsed drain current
I
D
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
W
Reverse diode dvdt
E
AS
325
mJ
I
S
=80A,
V
DS
=24V,
didt
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
dvdt
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
154
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
1Current limited by bondwire; with an R
thJC
= 0.97 K/W the chip is able to carry I
D
= 110 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-051 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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