參數(shù)資料
型號： SPU09P06PL
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： BNC Adapter; Body Style:Straight Bulkhead Adapter, Jack-Jack; Contact Termination:Clamp/Solder; RG Cable Type:58, 59, 179, 316 RoHS Compliant: Yes
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： SPU09P06PL
2001-07-02
Page 2
SPD09P06PL
SPU09P06PL
Final data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
3.6
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
-
-
100
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
-
-
-
-
75
50
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V,
I
D
=-250μA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
=-250μA
Zero gate voltage drain current
V
(BR)DSS
-60
-
-
V
V
GS(th)
-1
-1.5
-2
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
-0.1
-10
-1
-100
μA
V
GS
=-20V,
V
DS
=0V
Drain-source on-state resistance
I
GSS
-
-10
-100
nA
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-5.4A
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
-
0.3
0.4
V
GS
=-10V,
I
D
=-6.8A
R
DS(on)
-
0.2
0.25
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD10N10 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
SPU10N10 CAP 1200PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
SPD18P06P CAT 5 SOLID PVC CABLE STRGHT PIN, 100 MHZ-BLUE
SPU18P06P CAT 5 SOLID PLNM CBL STRGHT PIN, 100 MHZ-BLUE
SPD30N03S2L-08 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPU09P06PLXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
SPU100 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:IMAGE PROCESS BOARD
SPU10-103(7.5V 1.3/3.5/9.5,C+) 制造商:VOLGEN AMERICA/KAGA ELECTRONICS USA 功能描述:TRANS 7.5V CONN POSITIVE CENTER
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SPU11N10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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