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參數(shù)資料
| 型號： | SS14T |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封裝： | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | SS14T |
Vishay General Semiconductor
SS12 thru SS16
Document Number 88746
20-Feb-06
www.vishay.com
1
DO-214AC (SMA)
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Guardring for overvoltage protection
Low power losses, high efficiency
Low forward voltage drop
High surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020C
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency inverters, free-
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AC (SMA)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes the cathode end
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
IF(AV)
1.0 A
VRRM
20 V to 60 V
IFSM
40 A
VF
0.50 V, 0.70 V
Tj max.
125 °C, 150 °C
Note:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
UNIT
Device marking code
S2
S3
S4
S5
S6
V
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
20
30
40
50
60
V
Maximum RMS voltage
VRMS
14
21
28
35
42
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
20
30
40
50
60
V
Maximum average forward rectified current at TL (see Fig. 1)
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
40
A
Voltage rate of change (rated VR)
dv/dt
10000
V/s
Operating junction temperature range
TJ
- 65 to + 125
- 65 to + 150
°C
Storage temperature range
TSTG
- 65 to + 150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
UNIT
Maximum instantaneous forward
voltage
at 1.0 A (1)
VF
0.50
0.75
V
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage (1)
TA = 25 °C
IR
0.2
mA
TA = 100 °C
6.0
5.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS12-HE3 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS15-E3 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS23-LT | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SS25-LT | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SS26-LT | 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SS14-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SS14-T3 | 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R |
| SS14T3G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY POWER 1A 40V SMA RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SS14-TP | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A, 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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