參數(shù)資料
型號: SS15-E3
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 337K
代理商: SS15-E3
www.vishay.com
2
Document Number 88746
20-Feb-06
Vishay General Semiconductor
SS12 thru SS16
Note:
(1) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad areas
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
UNIT
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
88
28
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
50
70
90
110
130
150
0
0.5
1.0
170
Resistive or
Inductive Load
P. C. B. Mounted on
0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm)
Copper Pad Areas
SS12 - SS14
SS15 & SS16
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
10
100
0
10
20
30
40
50
At rated TL
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
50
0
0.01
0.1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
SS12 - SS14
SS15 & SS16
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
TJ = 150 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
0
20
40
60
0.001
0.01
0.1
1
10
100
80
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
TJ = 150 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
SS12 - SS14
SS15 & SS16
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