參數(shù)資料
型號： ST103S08PFN0
英文描述： IC SRAM 16KX16 SYNC DUAL 100TQFP
中文描述： 800V的165A逆變晶閘管采用TO - 209AC（到94）封裝
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： ST103S08PFN0
ST103S Series
Bulletin I25183 rev. B 03/94
8
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
200
Snubber c irc uit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
s
DRM
Pulse Basewidth (
μs)
P
5000
ST103S Series
Tra pezoidal pulse
T = 60
°C
di/dt = 50A/μs
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
200
Snubber c ircuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
DRM
Pulse Basewidth (
μs)
5000
ST103S Series
Trapezoidal pulse
T = 85
°C
di/dt = 50A/μs
tp
1E1
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (
μs)
1000
200
Snubber circuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
DRM
5000
10000
ST103S Series
Sinusoida l pulse
T = 85°C
tp
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (
μs)
P
1000
200
Snubber circuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
D
DRM
ST103S Series
Sinusoidal pulse
T = 60°C
5000
10000
tp
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
200
Snubber c irc uit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
D
DRM
Pulse Basewidth (
μs)
P
5000
ST103S Series
Trapezoidal pulse
T = 60
°C
di/dt = 100A/μs
tp
10000
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
200
Snubber circ uit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
D
DRM
Pulse Basewidth (
μs)
5000
ST103S Series
Trapezoida l pulse
T = 85
°C
di/dt = 100A/μs
tp
10000
Fig. 12 - Frequency Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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ST103S08PFN1 功能描述:SCR 800 Volt 105 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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ST103SP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
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