參數(shù)資料
型號(hào)： ST223C04CFL0
英文描述： MAX 3000A CPLD 64 MC 100-TQFP
中文描述： 400V 745A逆變晶閘管采用TO - 200AB（甲，北辰）封裝
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： ST223C04CFL0
ST223C..C Series
7
www.irf.com
Bulletin I25174 rev. B 04/00
Fig. 10 - Thermal Impedance Z
thJ-hs
Characteristics
Fig. 9 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 11 - Reverse Recovered Charge Characteristics
Fig. 12 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 13 - Frequency Characteristics
100
1000
10000
0
2
4
6
8
10
T = 25
°
C
T = 125
°
C
I
Instantaneous On-state Voltage (V)
ST223C..C Series
0
2 0
4 0
6 0
8 0
10 0
12 0
14 0
16 0
0
2 0
4 0
6 0
80
10 0
M
Rate O f Fall Of Forw a rd C urre nt - di/dt (A /μs)
I = 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
ST2 23C ..C Se rie s
T = 125
°
C
0.0 0 1
0.0 1
0.1
1
0.0 0 1
0.0 1
0 .1
1
10
Square W ave Pulse D uration (s)
t
T
ST22 3C ..C Serie s
Steady State Value
R = 0.17 K/ W
(Sin gle Side C oo le d)
R = 0.08 K/ W
(D o uble Side C oo le d)
(D C Ope ratio n)
0
5 0
1 00
1 50
2 00
2 50
0
2 0
40
6 0
8 0
1 00
I = 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
Rate Of Fall Of O n-state C urren t - di/dt (A/μs)
M
ST223 C ..C Series
T = 125
°
C
1 E1
1E1
1E2
1 E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Base w idth (μs)
1000
1500
3000
200
500
5000
ST223C..C Series
Sinusoidal pulse
T = 55
°
C
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22 μF
V = 80% V
DRM
tp
10000
1 E2
1 E3
1 E4
1E1
1 E2
1 E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Base w idth (μs)
P
1000
1500
3000
200
500
5000
ST223C..C Series
Sinusoidal pulse
T = 40
°
C
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22 μF
V = 80% V
DRM
tp
10000
1E4
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