參數(shù)資料
型號： ST92P141K4B6/XXX
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, MROM, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP32
封裝： PLASTIC, SDIP-32
文件頁數(shù)： 46/179頁
文件大小： 1905K
代理商： ST92P141K4B6/XXX
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ST92141 - GENERAL DESCRIPTION
1.3 MEMORY MAP
1.3.1 Memory Configuration
The Program memory space of the ST92141, 16K
bytes of directly addressable on-chip memory, is
fully available to the user.
The first 256 memory locations from address 0 to
FFh hold the Reset Vector, the Top-Level (Pseudo
Non-Maskable) interrupt, the Divide by Zero Trap
Routine vector and, optionally, the interrupt vector
table for use with the on-chip peripherals and the
external interrupt sources. Apart from this case no
other part of the Program memory has a predeter-
mined function except segment 21h which is re-
served for use by STMicroelectronics.
1.3.2 EPROM Programming
The 16K bytes of EPROM memory of the
ST92E141 may be programmed by using the
EPROM Programming Boards (EPB) or gang pro-
grammers available from STMicroelectronics.
EPROM Erasing
The EPROM of the windowed package of the
ST92E141 may be erased by exposure to Ultra-Vi-
olet light.
The erasure characteristic of the ST92E141 is
such that erasure begins when the memory is ex-
posed to light with a wave lengths shorter than ap-
proximately 4000. It should be noted that sunlight
and some types of fluorescent lamps have wave-
lengths in the range 3000-4000. It is thus recom-
mended that the window of the ST92E141 packag-
es be covered by an opaque label to prevent unin-
tentional erasure problems when testing the appli-
cation in such an environment.
The recommended erasure procedure of the
EPROM is the exposure to short wave ultraviolet
light which have a wave-length 2537. The inte-
grated dose (i.e. U.V. intensity x exposure time) for
erasure should be a minimum of 15W-sec/cm2.
The erasure time with this dosage is approximate-
ly 30 minutes using an ultraviolet lamp with
12000mW/cm2 power rating. The ST92E141
should be placed within 2.5cm (1 inch) of the lamp
tubes during erasure.
Table 5. First 6 Bytes of Program Space
Figure 2. Memory Map
0
Address high of Power on Reset routine
1
Address low of Power on Reset routine
2
Address high of Divide by zero trap Subroutine
3
Address low of Divide by zero trap Subroutine
4
Address high of Top Level Interrupt routine
5
Address low of Top Level Interrupt routine
SEGMENT 0
64 Kbytes
00FFFFh
00C000h
00BFFFh
008000h
007FFFh
004000h
000000h
003FFFh
PAGE 0 - 16 Kbytes
PAGE 1 - 16 Kbytes
PAGE 2 - 16 Kbytes
PAGE 3 - 16 Kbytes
SEGMENT 20h
64 Kbytes
200000h
21FFFFh
20C000h
20BFFFh
208000h
207FFFh
204000h
203FFFh
PAGE 80 - 16 Kbytes
PAGE 81 - 16 Kbytes
PAGE 82 - 16 Kbytes
PAGE 83 - 16 Kbytes
200000h
200200h
RAM
512 bytes
Internal
Reserved
SEGMENT 21h
64 Kbytes
20FFFFh
220000h
210000h
Internal ROM
Reserved
max. 64 Kbytes
000000h
004000h
FASTROM/EPROM
16 Kbytes
003FFFh
9
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PDF描述
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