參數(shù)資料
型號(hào)： STB20NM50T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
中文描述： N溝道500V - 0.20ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh？功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： STB20NM50T4
3/8
STB20NE06L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limitedby safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, Figure 3)
I
D
= 10 A
V
GS
= 5 V
20
45
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=48V I
D
=20A V
GS
=5V
14
8
4
20
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
r
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, Figure 5)
I
D
= 20 A
V
GS
= 5 V
10
25
42
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
20
80
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 20 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
=20 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
65
130
4
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB20NM50 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
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STB40NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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