參數(shù)資料
型號(hào)： STB20NM60T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.25ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh？功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： STB20NM60T4
STB20NE06L
2/8
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
j
AVALANCHE CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
2.14
62.5
0.5
300
°
C/W
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
20
A
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
°
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
100
mJ
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
=Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
I
DS(on)
Static Drain-source On Resis-
tance
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
D
= 10 A
0.07
0.06
0.085
0.07
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
20
A
Symbol
g
fs(*)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=10A
5
9
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitances
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
800
125
40
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB20NM50T4 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB20NM50 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB20NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB40NF10LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB20PF75 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 75V - 0.10 з - 20A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB20PF75T4 功能描述:MOSFET P-Ch 75 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB210NF02 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB210NF02-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20V - 0.0026 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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