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參數(shù)資料
| 型號： | STB40NF10T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | STB40NF10T4 |
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STB40NF10L
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB40NE03L20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NE03L-20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NF03LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NF10 | N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
| STB40NF10-1 | N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB40NF20 | 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB40NS15 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| STB40NS15T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB42N60M2-EP | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB42N65M5 | 功能描述:MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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