型號(hào): | STB4NB50T4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 3.8AI(四)|對(duì)263AB |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 209K |
代理商: | STB4NB50T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB4NB80-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
STB4NB80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB |
STB4NC60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4.2A I(D) | TO-263AB |
STB55NF06FP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220FP |
STB55NF06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB4NB80 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB4NB80-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
STB4NB80FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET |
STB4NB80T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB4NC50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |