- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372325 > STB5NA50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STB5NA50T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 5A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | STB5NA50T4 |
Fig. 3:
SwitchingTimes Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And DIode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
STB5NA50
7/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB5NA80-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-262AA |
| STB5NB60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| STB5NB80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
| STB60NE06-16T4 | DIODE TVS 24V 1500W 5% UNI AXL |
| STB60NE06L-16T4 | DIODE TVS 27V 1500W 5% BI AXL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB5NA80 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB5NA80-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-262AA |
| STB5NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB5NB60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| STB5NB60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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