參數(shù)資料
型號： STB60NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.019ohm - 80A條D2PAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
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代理商： STB60NF10
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STB60NE06-16
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage Temperature
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB6LNC60T4 TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
STB6NA60-1 82V, 1.5KW TRANZORB, 1.5 KE82A, IN6293A
STB6NA60T4 Resettable Fuse; Operating Voltage Max:30VDC; Resistance:2.9ohm; Holding Current:0.2A; Tripping Current:0.4A; Fuse Terminals:SMT Caps; Initial Resistance Min:0.8ohm; Interrupting Current Max:100A; Leaded Process Compatible:Yes
STB6NA80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB60NF10_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET
STB60NF10-1 功能描述:MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NF10T4 功能描述:MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB60NH02L_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
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