參數(shù)資料
型號: STB75NF75T4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五(巴西)直| 75A條(?。﹟對263AB
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代理商: STB75NF75T4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB75NE75 N - CHANNEL 75V - 0.01 ohm - 75A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB7NA40-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR
STB7NA40T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB
STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET
STB80NF55-06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB75NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0062W -75A - D2PAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB75NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
STB75NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 75 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB76NF75 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB76NF80 功能描述:MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube