參數(shù)資料
型號: STB80NF55-06T4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 80A條(?。﹟對263AB
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代理商: STB80NF55-06T4
5/9
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB80NF55-07 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF55-08T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF55L06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF55L06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NE03L06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA
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參數(shù)描述
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STB80NF55-08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB80NF55-08_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V - 0.0065 Ω - 80 A - TO-220 - D2PAK - TO-247 STripFET? Power MOSFET
STB80NF55-08-1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STB80NF55-08AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1