型號: | STB80NF55-06T4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 80A條(?。﹟對263AB |
文件頁數(shù): | 5/9頁 |
文件大?。?/td> | 339K |
代理商: | STB80NF55-06T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB80NF55-07 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF55-08T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF55L06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF55L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NE03L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB80NF55-07 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF55-08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB80NF55-08_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V - 0.0065 Ω - 80 A - TO-220 - D2PAK - TO-247 STripFET? Power MOSFET |
STB80NF55-08-1 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
STB80NF55-08AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 |