參數(shù)資料
型號： STB80NF55-07
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 80A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 339K
代理商： STB80NF55-07
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.5
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Min.
55
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 40 A
V
GS
= 5 V, I
D
= 40 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.6
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.0065
0.008
0.008
0.01
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
Forward Transconductance
150
S
Input Capacitance
4350
pF
Output Capacitance
800
pF
Reverse Transfer
Capacitance
260
pF
相關PDF資料
PDF描述
STB80NF55-08T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF55L06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NF55L06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
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STB80NF10-T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STB80NF55-08AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1
STB80NF55-08T4 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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