參數(shù)資料
型號(hào)： STB85NF55LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 80A條（丁）|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： STB85NF55LT4
STB85NF3LL
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
1.36
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
16V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10V, I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 40 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
V
Static Drain-source On
Resistance
0.006
0.008
0.0075
0.0095
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 40 A
Min.
Typ.
30
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
Input Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
2210
pF
C
oss
Output Capacitance
635
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
138
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB85NF55T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB9NK60-1 N-CHANNEL 600V 0.85 OHM 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
STB9NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB
STB9NB60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA
STB9NB60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB85NF55T4 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB85NS04Z 功能描述:MOSFET N-Channel 11mOHM Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB86600 制造商:AXIOMTEK 制造商全稱:AXIOMTEK 功能描述:VGA and LCD supported
STB8GA38 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
STB8GA516 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
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