參數(shù)資料
型號(hào)： STBV32-AP
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： STBV32-AP
STBV32
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREADOF DYNAMICPARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
I
VERYHIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONIC BALLASTS FOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi
Epitaxial
Planar
switching speeds and medium voltagecapability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
The STBV32 is designed for use in compact
fluorescent lamp application.
Ordering codes:
STBV32
(shipmentin bulk)
STBV32-AP
(shipment in ammopack)
technology
for
high
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
August 2001
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
Parameter
Value
700
400
BV
EBO
Unit
V
V
V
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0,
I
B
= 0.5 A,
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
t
p
< 10
μ
s, T
j
< 150
o
C)
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
1
3
A
A
A
A
W
o
C
o
C
0.5
1.5
1.1
-65 to 150
150
TO-92
1/7
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PDF描述
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STBV32G-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STBV42 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STBV42-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STBV42D 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 700V Vces 400Vceo 9Vebo 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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