
STD150
3-34
Samsung ASIC
ND3B/ND3BD2/ND3BD4/ND3BD8
3-Input NAND with one Inverted Input, 1X/2X/4X/8X Drive
Switching Characteristics
ND3B
(Typical process, 25
°
C, 1.2V, t
R
/t
F
= 0.13ns, SL: Standard Load)
ND3BD2
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.096
0.119
0.116
0.136
0.121
0.122
0.084
0.093
0.128
0.120
0.089
0.095
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.051 + 0.023*SL
0.065 + 0.027*SL
0.094 + 0.011*SL
0.107 + 0.015*SL
0.079 + 0.021*SL
0.070 + 0.026*SL
0.061 + 0.011*SL
0.064 + 0.015*SL
0.085 + 0.021*SL
0.066 + 0.027*SL
0.067 + 0.011*SL
0.066 + 0.015*SL
Group2*
0.047 + 0.024*SL
0.063 + 0.027*SL
0.096 + 0.010*SL
0.109 + 0.014*SL
0.072 + 0.023*SL
0.066 + 0.027*SL
0.064 + 0.011*SL
0.066 + 0.014*SL
0.079 + 0.023*SL
0.064 + 0.027*SL
0.068 + 0.011*SL
0.068 + 0.014*SL
Group3*
0.045 + 0.024*SL
0.060 + 0.028*SL
0.096 + 0.010*SL
0.110 + 0.014*SL
0.060 + 0.024*SL
0.060 + 0.028*SL
0.064 + 0.011*SL
0.067 + 0.014*SL
0.067 + 0.024*SL
0.060 + 0.028*SL
0.069 + 0.011*SL
0.069 + 0.014*SL
AN to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
B to Y
C to Y
*Group1 : SL < 4, *Group2 : =
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.071
0.085
0.108
0.120
0.096
0.090
0.068
0.075
0.101
0.086
0.076
0.078
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.050 + 0.010*SL
0.057 + 0.014*SL
0.097 + 0.006*SL
0.105 + 0.008*SL
0.078 + 0.009*SL
0.066 + 0.012*SL
0.056 + 0.006*SL
0.058 + 0.008*SL
0.082 + 0.010*SL
0.060 + 0.013*SL
0.063 + 0.006*SL
0.063 + 0.008*SL
Group2*
0.044 + 0.012*SL
0.058 + 0.014*SL
0.098 + 0.005*SL
0.107 + 0.007*SL
0.070 + 0.011*SL
0.061 + 0.013*SL
0.060 + 0.005*SL
0.062 + 0.007*SL
0.076 + 0.011*SL
0.058 + 0.014*SL
0.066 + 0.005*SL
0.066 + 0.007*SL
Group3*
0.040 + 0.012*SL
0.054 + 0.014*SL
0.099 + 0.005*SL
0.109 + 0.007*SL
0.055 + 0.012*SL
0.054 + 0.014*SL
0.061 + 0.005*SL
0.064 + 0.007*SL
0.062 + 0.012*SL
0.053 + 0.014*SL
0.067 + 0.005*SL
0.067 + 0.007*SL
AN to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
B to Y
C to Y
*Group1 : SL < 4, *Group2 : =