參數(shù)資料
型號(hào)： STD2NA60T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 2.3AI（四）|至252
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： STD2NA60T4
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
STD2N50
6/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB25-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA
STD2NB25T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA
STD2NB40-1 N-CHANNEL 400V - 3.5 OHM - 2A - IPAK/DPAK POWERMESH MOSFET
STD2NB50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-252AA
STD2NB80-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 250V - 1.7ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD2NB25-1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB25T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA
STD2NB40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 3.5ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD2NB40-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 400V - 3.5 OHM - 2A - IPAK/DPAK POWERMESH MOSFET
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