參數(shù)資料
型號(hào): STF16A60
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述: 雙向可控硅三極管
文件頁(yè)數(shù): 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 658K
代理商: STF16A60
Electrical Characteristics
Symbol
Items
Conditions
Ratings
Unit
Min.
Typ.
Max.
I
DRM
Repetitive Peak Off-State
Current
V
D
= V
DRM
, Single Phase, Half Wave
T
J
= 125 °C
2.0
mA
V
TM
Peak On-State Voltage
I
T
= 25 A, Inst. Measurement
1.4
V
I
+GT1
Gate Trigger Current
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
30
mA
I
-GT1
30
I
-GT3
30
V
+GT1
Gate Trigger Voltage
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
1.5
V
V
-GT1
1.5
V
-GT3
1.5
V
GD
Non-Trigger Gate Voltage
T
J
= 125 °C, V
D
= 1/2 V
DRM
0.2
V
(dv/dt)c
Critical Rate of Rise Off-State
Voltage at Commutation
T
J
= 125 °C, [di/dt]c = -8.0 A/ms,
V
D
=2/3 V
DRM
10
V/
I
H
Holding Current
25
mA
R
th(j-c)
Thermal Impedance
Junction to case
3.0
°C/W
2/6
S T F16A60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF4A60 Bi-Directional Triode Thyristor
STI5512 HIGH RELIABILITY FOR LOW COST WIDE FREQUENCY RANGE
STJ828K P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
STJ828M P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
STJ828UF P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STF16A60H 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STF16A80 制造商:SEMIWELL 制造商全稱:SEMIWELL 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STF16N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):280 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):710pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 整包 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF16N50U 功能描述:MOSFET N-ch 500V 0.47 Ohm 15A UltraFAST Mesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):700pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50