參數(shù)資料
型號(hào)： STGF10NB60SD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
中文描述： N溝道10A條- 600V到- 220FP PowerMESH？ IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 325K
代理商： STGF10NB60SD
STGF10NB60SD
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Break-down
Voltage
V
BR(CES)
Emitter Collector Break-down
Voltage
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5
°C/W
°C/W
62.5
Test Conditions
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0,
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0,
20
V
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating ,T
j
=25 °C
V
CE
= Max Rating ,T
j
=125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
10
100
μA
μA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
± 100
nA
Parameter
Test Conditions
Min.
2.5
Typ.
Max.
5
Unit
V
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
GE
=15V, I
C
= 5 A, Tj= 25°C
V
GE
=15V, I
C
= 10 A, Tj= 25°C
V
GE
=15V, I
C
= 10 A, Tj= 125°C
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.15
1.35
1.25
1.8
V
V
V
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
V
CE
= 25 V
,
I
C
=10 A
5
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
610
65
12
pF
pF
pF
Q
g
V
CE
= 400V, I
C
= 10 A,
V
GE
= 15V
V
clamp
= 480V, RG= 1k
,
Tj= 125°C
33
nC
I
CL
Latching Current
20
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGF10NB60SD_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT
STGF10NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10NC60KD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGF10NC60SD 功能描述:IGBT 晶體管 10 A-600 V fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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