參數(shù)資料
型號： STGP14NC60KD
廠商： 意法半導體
英文描述： Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述： N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/D2PAK短路IGBT的額定PowerMESH
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： STGP14NC60KD
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
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L2
A
B
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F
L3
G
1 2 3
F
F
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L4
L5
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.4
2.5
2.5
0.45
0.75
1.15
1.15
4.95
2.4
10
MAX.
4.6
2.7
2.75
0.7
1
1.7
1.7
5.2
2.7
10.4
MIN.
0.173
0.098
0.098
0.017
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0.045
0.045
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MAX.
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0.204
0.106
0.409
A
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F1
F2
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G1
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L2
L3
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L5
L6
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16
0.630
28.6
9.8
2.9
15.9
9
3
30.6
10.6
3.6
16.4
9.3
3.2
1.126
.0385
0.114
0.626
0.354
0.118
1.204
0.417
0.141
0.645
0.366
0.126
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關PDF資料
PDF描述
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STGP18N40LZ 功能描述:IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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