參數(shù)資料
型號： STGP7NB60FD
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V到- 220 / D2PAK封裝PowerMESH？ IGBT的
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 505K
代理商： STGP7NB60FD
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STGP7NB60FD - STGB7NB60FD
Total Switching Losses vs Collector Current
Total Switching Losses vs Temperature
Total Switching Losses vs Gate Resistance
Gate Charge vs Gate-Emitter Voltage
Capacitance Variations
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
相關PDF資料
PDF描述
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60HD N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 RO 511-STGP7NB60K RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NB60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NB60HDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60K 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NB60K_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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