參數(shù)資料
型號： STGW20NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： STGW20NB60HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
115
32
170
75
0.4
0.9
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V
190
55
210
140
0.7
1.25
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
f
I
fm
V
f
Forward Current
Forward Current pulsed
20
160
A
A
Forward On-Voltage
I
f
= 20 A
I
f
= 20 A
I
f
= 20 A
dI/dt = 100 A/
μ
S
T
j
= 125
o
C
V
R
= 200 V
T
j
= 125
o
C
1.50
1.25
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
H
) Includerecovery losses on the STTA2006 freewheeling diode
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
100
300
5.9
nS
nC
A
Thermal Impedance
STGW20NB60HD
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW20NB60KD N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT
STGW20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NB60K 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
STGW20NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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