型號(hào): | STH14N50 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 14.1AI(四)|至218 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 334K |
代理商: | STH14N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STH14N50FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
STW14N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-247 |
STW14NM50 | N-CHANNEL 550V - 0.32ohm - 14A TO-247 MDmesh Power MOSFET |
STW14NC50 | N-CHANNEL 500V - 0.31W - 14A TO-247 PowerMesh II MOSFET |
STW14NB50 | N-CHANNEL 500V - 0.40 ohm - 14A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STH14N50FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
STH150N10F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 55A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
STH15N50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218 |
STH15N50FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
STH15NA50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |