型號(hào): | STI1005 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 1KV交五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至37VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 125K |
代理商: | STI1005 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STI20 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
STI40 | DIODE TVS 15V 600W UNI-DIR |
STI405 | DIODE TVS 6.8V 600W BI-DIR |
STI60 | DIODE TVS 47V 600W UNIDIR 5% SMB |
STI605 | DIODE TVS 51V 600W BIDIR 5% SMB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STI1010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
STI1020 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
STI10N62K3 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SuperMESH3™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
STI10NM60N | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V |
STI-1100 | 制造商:GE Security / Edwards Signaling & Security Systems 功能描述:Flush Mount Cover with Horn 制造商:Safety Technology International 功能描述:Fire Alarm Stopper® II With Horn Flush Mount 制造商:SAFETY TECHNOLOGY 功能描述:STOPPER II HORN FLUSH MOUNT |