參數(shù)資料
型號(hào): STI1005
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 1KV交五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至37VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大小: 125K
代理商: STI1005
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STI20 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
STI40 DIODE TVS 15V 600W UNI-DIR
STI405 DIODE TVS 6.8V 600W BI-DIR
STI60 DIODE TVS 47V 600W UNIDIR 5% SMB
STI605 DIODE TVS 51V 600W BIDIR 5% SMB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STI1010 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
STI1020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SuperMESH3™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STI10NM60N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V
STI-1100 制造商:GE Security / Edwards Signaling & Security Systems 功能描述:Flush Mount Cover with Horn 制造商:Safety Technology International 功能描述:Fire Alarm Stopper® II With Horn Flush Mount 制造商:SAFETY TECHNOLOGY 功能描述:STOPPER II HORN FLUSH MOUNT