參數(shù)資料
型號(hào): STI205
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR
中文描述: 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至37VAR
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: STI205
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STI30 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
STI305 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR
STI50 DIODE TVS 160V 600W BIDIR 5% SMB
STI505 DIODE TVS 180V 600W BIDIR 5% SMB
STIP10 SURGE ARRESTER GDT 90V SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STI20N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V
STI20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI21N65M5 功能描述:MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI21NM60ND 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI22NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:Mdmesh™ II 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件