- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372135 > STI2506 TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STI2506 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 250V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至66 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | STI2506 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI3006 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI3007 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI5006 | DIODE TVS 16V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI5007 | DIODE TVS 170V 600W BIDIR 5% SMB |
| STIP1506 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI25NM60ND | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI260N6F6 | 功能描述:MOSFET N-ch 60V 0.0024 Ohm 120 A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI26NM60N | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:Mdmesh™ II 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STI270N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI28N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1440pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。