型號(hào): | STI4003D |
英文描述: | DIODE TVS 15V 600W BI-DIR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 400V五(巴西)總裁| 10A條一(c)|至3 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 161K |
代理商: | STI4003D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STI4006 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
STI4007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
STI400N4F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):377nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK(TO-262) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
STI401 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
STI4010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |