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參數(shù)資料
| 型號： | STI4006 |
| 英文描述： | DIODE TVS 16V 600W UNI-DIR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至66 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | STI4006 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI4007 | DIODE TVS 18V 600W UNI-DIR |
| STI6006 | DIODE TVS 600W 510V UNI 5% SMB |
| STI6007 | DIODE TVS 600W 510V BIDIR 5% SMB |
| STI7006 | DIODE TVS 600W 540V BIDIR 5% SMB |
| STI7007 | DIODE TVS 600W 550V UNI 5% SMB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI4007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI400N4F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標準包裝:50 |
| STI401 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
| STI4010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI402 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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