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STI5003D	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI5740	DIODE TVS 600W 350V UNI 5% SMB
STI5741	NPN/PNP silicon darlington transistors
STI5742	DIODE TVS 39V 600W BIDIR 5% SMB
STI1010	Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Capacitance:15pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:120mA RoHS Compliant: NA

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STI5003D

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

STI5740

DIODE TVS 600W 350V UNI 5% SMB

STI5741

NPN/PNP silicon darlington transistors

STI5742

DIODE TVS 39V 600W BIDIR 5% SMB

STI1010

Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Capacitance:15pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:120mA RoHS Compliant: NA

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STI409	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI40N65M2	功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STI410	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| TO-3
STI411	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| TO-3
STI413	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

STI409

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

STI40N65M2

功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50

STI410

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3

STI411

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3

STI413

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3

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英文描述：	DIODE TVS 120V 600W UNI 5% SMB
中文描述：	晶體管\|晶體管\|達(dá)林頓\|叩\| 600V的五（巴西）總裁\|至3
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文件大小：	161K
代理商：	STI4075

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