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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STI408000-60GG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 40 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | STI408000-60GG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STI94000A-60GEN | 4M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA30 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI409 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STI410 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
| STI411 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
| STI413 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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