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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STK12C68-5C40M |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM |
| 中文描述： | 的CMOS非易失SRAM 8K的乘八自動(dòng)存儲(chǔ)非易失靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | STK12C68-5C40M |
STK12C68-M
4-55
NO.
PARAMETER
UNITS
1
t
ELQV
t
ACS
Chip Enable Access Time
40
45
55
ns
2
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
40
45
55
ns
3
t
AVQVg
t
AA
Address Access Time
40
45
55
ns
4
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Data Valid
20
25
35
ns
5
t
AXQX
t
OH
Output Hold After Address Change
5
5
5
ns
6
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable to Output Active
5
5
5
ns
7
t
EHQZh
t
HZ
Chip Disable to Output Inactive
17
20
25
ns
8
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output Active
0
0
0
ns
9
t
GHQZh
t
OHZ
Output Disable to Output Inactive
17
20
25
ns
10
t
ELICCHe
t
PA
Chip Enable to Power Active
0
0
0
ns
11
t
EHICCLc,e
t
PS
Chip Disable to Power Standby
35
45
55
ns
READ CYCLES #1 & #2
READ CYCLE #1
f,g
DQ (Data Out)
ADDRESS
DATA VALID
2
t
AVAV
3
t
AVQV
5
t
AXQX
SRAM MEMORY OPERATION
ADDRESS
E
G
DQ (Data Out)
DATA VALID
2
t
AVAV
1
t
ELQV
6
t
ELQX
4
t
GLQV
8
t
GLQX
10
t
ELICCH
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
I
CC
ACTIVE
STANDBY
READ CYCLE #2
f
#1, #2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
SYMBOLS
STK12C68-40M
STK12C68-45M
STK12C68-55M
Note c: Bringing E
≥
V
IH
will not produce standby currents until any nonvolatile cycle in progress has timed out. See MODE SELECTION table.
Note e: Parameter guaranteed but not tested.
Note f: For READ CYCLE #1 and #2, W is high for entire cycle.
Note g: Device is continuously selected with E low and G low.
Note h: Measured
±
200mV from steady state output voltage.
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STK12C68-40M | CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM |
| STK12C68-45M | CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM |
| STK12C68-55M | CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM |
| STK12C68-5L40M | Ceramic Chip Capacitors / High Voltage; Capacitance [nom]: 24pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 2000V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 1206; Termination: Tin (Sn) Plated Nickel Barrier; Body Dimensions: 0.126" x 0.063"; Container: Bulk; Features: High Voltage; Unmarked |
| STK12C68-M | CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STK12C68-5C55M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-5K35M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-5K55M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-5L35M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-5L55M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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