參數(shù)資料
型號: STP1081ABGA-125
英文描述: Address/Data Buffer
中文描述: 地址/數(shù)據(jù)緩沖
文件頁數(shù): 12/21頁
文件大小: 746K
代理商: STP1081ABGA-125
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP1081ABGA-150 ASIC
STP1091PGA-75 Cache Controller
STP1091PGA-90 Cache Controller
STP10N10L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
STP10N10LFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP1081ABGA-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ASIC
STP1091PGA-75 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller
STP1091PGA-90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller
STP10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):630 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50