參數(shù)資料
型號: STP20NM60
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 0.25ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh?功率MOSFET
文件頁數(shù): 19/20頁
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代理商: STP20NM60
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP25N05FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220VAR
STP25N05 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220
STP25N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP3010PGA 32-Bit Graphics (GUI) Accelerator
STP30NE06 Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:47uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:300mohm; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP20NM60A 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NM60FD 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NM60FP 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP210N75F6 功能描述:MOSFET N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube