參數(shù)資料
型號: STP30NF10FP
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述: N溝道100V的- 0.038歐姆- 35A條TO-220/TO-220FP/D2PAK低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù): 18/20頁
文件大?。?/td> 581K
代理商: STP30NF10FP
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
STP30N05 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP30N05FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP30N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP30NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NF10 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP30NF20 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30NM30N 功能描述:MOSFET N Ch 300V Mdmesh 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube