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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP40N03L-20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式高密度功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | STP40N03L-20 |
THERMAL DATA
Rthj-ca se
Rthj- amb
Rthc-si nk
Tl
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead T emperature For Soldering Purpose
1.66
62.5
0.5
300
oC/W
oC
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symb ol
Parameter
Max Valu e
Uni t
IAR
Avalanche Current , Repet itive or Not -Repetitive
(pulse widt h limited by Tj max,
δ <1%)
40
A
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting Tj =25
oC, I
D =IAR,VDD =25 V )
300
mJ
EAR
Repetit ive Avalanche Energy
(pulse widt h limited by Tj max,
δ <1%)
75
mJ
IAR
Avalanche Current , Repet itive or Not -Repetitive
(Tc =100
oC, pulse width limited by Tj max, δ <1%)
28
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25
oC unless otherwise specified)
OFF
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
V(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Volt age
ID = 250
AVGS =0
30
V
IDSS
Zero Gat e Voltage
Drain Current (VGS =0)
VDS =Max Rating
VDS =Max Rating x0.8
Tc = 125
oC
250
1000
A
IGSS
Gate-body Leakage
Current (VDS =0)
VGS =
± 15 V
± 100
nA
ON (
)
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
VGS(th)
Gate T hreshold Voltage VDS =VGS
ID =250
A1
1.6
2
V
RDS( on)
St atic Drain-source On
Resistance
VGS = 10V
ID =20 A
VGS = 10V
ID =20 A
Tc =100
oC
VGS =5V
ID =20 A
0.016
0.019
0.02
0.04
0. 023
ID(o n)
On Stat e Drain Current
VDS >ID(on) xRDS(on) max
VGS =10 V
40
A
DYNAMIC
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
gfs (
)Forward
Transconductance
VDS >ID(on) xRDS(on) max
ID =20 A
15
22
S
Ciss
Coss
Crss
Input Capacitance
Output Capacit ance
Reverse Transfer
Capacitance
VDS = 25V
f = 1MHz
VGS = 0
1800
450
180
2300
580
230
pF
STP40N03L-20
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP6X25MRD | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X3M | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X19RD | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X15MVL | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X17YL | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP40N05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N05FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
| STP40N06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N06FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
| STP40N06L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB |
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