參數(shù)資料
型號: STP80NE03L-06
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET(不適用溝道增強模式功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 57K
代理商: STP80NE03L-06
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.051
D
2.40
2.72
0.094
0.107
D1
1.27
0.050
E
0.49
0.70
0.019
0.027
F
0.61
0.88
0.024
0.034
F1
1.14
1.70
0.044
0.067
F2
1.14
1.70
0.044
0.067
G
4.95
5.15
0.194
0.203
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H2
10.0
10.40
0.393
0.409
L2
16.4
0.645
L4
13.0
14.0
0.511
0.551
L5
2.65
2.95
0.104
0.116
L6
15.25
15.75
0.600
0.620
L7
6.2
6.6
0.244
0.260
L9
3.5
3.93
0.137
0.154
DIA.
3.75
3.85
0.147
0.151
L6
A
C
D
E
D1
F
G
L7
L2
Dia.
F1
L5
L4
H2
L9
F2
G1
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
STP80NE03L-06
5/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPF1020CTN 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPR810DB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPRA1040CT 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS40L45CWPBF 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
STR-W6753 11.2 A SWITCHING REGULATOR, 25 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM6
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP80NE03L-06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
STP80NE06-10 功能描述:MOSFET RO 511-STP80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP80NF03L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF03L-04 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube