參數(shù)資料
型號： STPS10L45CT
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： STPS10L45CT
Characteristics
STPS10L45C
4/10
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
(TO-220AB, I2PAK and D2PAK)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values,
per diode)
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness:
35 m) ( D2PAK)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
I (mA)
R
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =25°C
j
12
5
10
20
50
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
j
T =125°C
j
T =150°C
(typical values)
j
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS10L45CG 5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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