參數(shù)資料
型號(hào)： STPS1150
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： STPS1150
Characteristics
STPS1150
4/7
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
I (A)
R
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0
25
50
75
100
125
150
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
V (V)
R
C(pF)
1
10
100
1
10
100
1000
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
V (V)
R
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current - maximum values,
high level (SMA)
Figure 12.
Forward voltage drop versus
forward current - maximum values,
low level (DO-41)
I
(A)
FM
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
(V)
FM
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
Figure 13.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead - Epoxy printed
circuit board FR4, eCu = 35 m
(SMA)
Figure 14.
Thermal resistance versus lead
length (DO-41)
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S (cm)
Cu
R (°C/W)
th
0
20
40
60
80
100
120
5
10152025
L
(mm)
leads
Rth(j-I)
Rth(j-a)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS1150RL 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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STPS1545D 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPS1545R 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STPS15H100CB 7.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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