參數資料
型號： STPS15L60CB-TR
廠商： 意法半導體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： STPS15L60CB-TR
STPS15L60CB
2/4
Symbol
I
R
*
Parameter
Tests Conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
200
60
0.62
0.57
0.76
0.68
0.82
0.72
Unit
μA
mA
V
Reverse leakage current
V
R
= V
RRM
45
V
F
*
Forward voltage drop
I
F
= 7.5 A
I
F
= 7.5 A
I
F
= 12 A
I
F
= 12 A
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
0.52
0.62
0.66
Pulse test : * tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.32 x I
F(AV)
+ 0.027 I
F2(RMS)
Fig.1:
Conductionlossesversusaveragecurrent.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th(j-c)
Parameter
Value
4
2.4
0.7
Unit
°
C/W
Junction to case
Per diode
Total
R
th(c)
Coupling
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
THERMAL RESISTANCES
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IF(av)(A)
PF(av)(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=70°C/W
IF(av)(A)
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
p
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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