參數(shù)資料
型號(hào)： STPS16L45CFP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 8 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： TO-220FPAB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： STPS16L45CFP
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STPS16L45CT/CFP
2/5
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
0.2
mA
Tj = 125°C
65
130
mA
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF =8 A
0.5
V
Tj = 125°C
IF =8 A
0.39
0.45
Tj=25
°CIF =16 A
0.63
Tj = 125°C
IF =16 A
0.55
0.64
Pulse test : * tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.26xIF(AV) + 0.024 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AB
Per diode
Total
Coupling
2.2
1.3
0.3
°C/W
TO-220FPAB
Per diode
Total
Coupling
4.5
3.5
2.5
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
THERMAL RESISTANCES
012345
6
789
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(°C)
T
δ=tp/T
tp
TO-220AB
TO-220FPAB
Fig.
2:
Average
current
versus
ambient
temperature (
δ = 0.5) (per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS1L60RL 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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STPS20150CG 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STPS20150CFP 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS2045CR 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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