參數資料
型號： STPS1L60A
廠商： 意法半導體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁數： 3/5頁
文件大小： 73K
代理商： STPS1L60A
STPS1045B/H
3/5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
VR(V)
IR(μA)
Tj=150°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=50°C
Tj=75°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1.0
10.0
100.0
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
(Typical values)
Fig. 9:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values).
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
S(Cu) (cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 10:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit
board,
copper
(
STPS1045B)
.
thickness:
35μm
)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
t(s)
IM(A)
Tc=50°C
Tc=100°C
Tc=150°C
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 5:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
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